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LBO晶體生長過程是怎樣的呢?

 這些被稱作“中國牌”晶體的誕生,奠定了我國在非線性光學晶體材料領域內的主導地位,也推動了全固態激光技術的蓬勃發展。這其中的LBO晶體,可以有效地對Nd基激光系統進行二倍頻、三倍頻,也可作為光學參量啁啾變大,輸出高功率短脈沖激光。尤其是它的激光損傷閾值,在λ=1.053μm,脈寬=1.3ns的試驗條件下,其值可以達到24.6J/cm2,是當前已知的倍頻轉化半導體材料中比較高的。

  從目前應用來說,它比較多的是用在對1064nm的基頻光變頻到532nm或355nm,因為它的綜合性能優良,至今在這領域還未有其他材料可以替代。

  對LBO、BBO晶體進行商業化的運作,大批提供LBO、BBO晶體器件,特別是在LBO晶體三倍頻市場方面,光寶光電在世界范圍內占據明顯優勢地位,市場占有率達到80%以上。

  LBO晶體在834℃左右會出現分解反應,生成2Li2O?5B2O3,因此不可以用純熔體生長方法進行晶體生長,如提拉法、下降法等,可以用助熔劑法進行晶體生長。生長LBO晶體的助熔劑比較多,有LiF、Li2O、B2O3、MoO3等。其中MoO3是一個非常好的助熔劑,但單純用MoO3,溶液會不太穩定,在晶體生長過程容易出現雜晶、浮晶等,所以需要加入其它熔劑,既用組合熔劑進行生長。

  鑒于LBO晶體結構間隙很小,極少有雜質能夠進入晶格,通常情況下,晶體內部質量都不錯,但由于LBO晶體是用助熔劑法生長,難以避免會出現極其微細的溶液包裹進入晶體內,生長后的晶體在綠光激光的照射下,會觀測到較粗一點散射通道,其體吸收值可以達到幾十到上百ppm/cm,如圖4所示。用這樣的晶體制成的器件,在高功率的激光照射下,晶體非常容易吸收激光能量從而產生大量的熱,長期工作后,晶體有可能被擊穿。因而,需要對生長工藝及助熔劑成分及含量作出調整,光寶光電經過大量工藝改進及熔劑調整實驗,從而使得LBO晶體的體吸收值低到幾個ppm/cm。

  以上就是光寶光電給大家介紹的關于LBO晶體相關內容介紹,大家可以參考了解一下。光寶光電專業從事激光元器件的研發和生產,主要產品為激光晶體、激光光學和激光器件。公司具有晶體生長、光學拋光、激光鍍膜和器件封裝的專業能力,并擁有良好的產品生產和質量控制經驗,可以為激光用戶提供穩定可靠的產品。具體聯系信息如下:

  聯系人:陳蔡暢

  聯系電話:13072169838(025-68790685)

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